Kremnievye p+-n-struktury, obluchennyh vysokojenjergeticheskimi ionami

··· lezzter Preis 34.11€ ··· 9783848491018 ··· 1036125307 ···
Razvitie fiziki radiacionnyh defektov v kremnii tesno svyazano s resheniem prakticheskih problem sozdaniya bystrodejstvujushhih silovyh tranzistorov i diodov, a takzhe povysheniya radiacionnoj stojkosti poluprovodnikovyh priborov. Aktual`nost` temy raboty opredelyaetsya neobhodimost`ju v novoj informacii: vo-pervyh, o vliyanii neravnomernogo raspredeleniya radiacionnyh defektov i ih skoplenij na perehodnye processy i perenos zaryada v bar`ernyh strukturah, chto mozhet byt` ispol`zovano dlya otrabotki novyh radiacionnyh tehnologij upravleniya staticheskimi i dinamicheskimi parametrami diskretnyh bipolyarnyh poluprovodnikovyh priborov vo-vtoryh, o defektah, sozdavaemyh pri obluchenii poluprovodnikov vysokojenergeticheskimi tyazhelymi chasticami, chto vazhno dlya prognozirovaniya radiacionnoj stojkosti jelektronnyh priborov. V rabote izlozheny rezul`taty issledovanij kremnievyh p+-n-struktur, obluchennyh vysokojenergeticheskimi ionami vismuta, kriptona, xenona. Predstavleny jexperimental`nye dannye, podtverzhdajushhie vozmozhnost` ispol`zovaniya oblucheniya ionami vismuta s jenergiej 700 MjeV v tehnologii proizvodstva bystrodejstvujushhih silovyh diodov na kremnii.
Hersteller: LAP Lambert Academic Publishing
Marke: LAP Lambert Academic Publishing
EAN: 9783848491018
Kat: Hardcover/Naturwissenschaften, Medizin, Informatik, Technik/Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik
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···· aufgenommen: 30.07.2020 · 02:47:02
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