····· lezzter Preis 18.05€ ···· Rheinberg-Buch.de - Bücher, eBooks, DVD & Blu-ray In this thesis Raman spectroscopy was used to study the phonos, e.g. the crystalline lattice vibration modes of different switchable mirror thin films and low dimensional single crystalline materials. ····· 10361158169
····· lezzter Preis 21.85€ ···· Rheinberg-Buch.de - Bücher, eBooks, DVD & Blu-ray Die 2×1-rekonstruierte Si(111)-Spaltfläche stellt ein wichtiges Modellsystem der experimentellen und theoretischen Oberflächenphysik dar. In dieser Arbeit wurde sie erstmals bei tiefer Temperatur von 8 K mit Rastertunnelmikroskopie und - spektroskopie untersucht. Die hohe laterale Auflösung des Tunnelmikroskops im sub-Å-Bereich erlaubte es, die elektronische Struktur von Si(111)-2×1 innerhalb der Oberflächeneinheitszelle (6,65×3,84 Å2) vermessen, die sehr gut mit aktuellen theoretischen Rechnungen übereinstimmt. Die im zugrunde liegenden Pandey-Modell erwartete stark anisotrope elektronische Struktur in den p-bonded chains spiegelt sich auch im Kontrast von substitutionellen P-Atomen in der Oberfläche wieder. Er erstreckt sich über viele Nanometer längs einzelner p-bonded chains und bestätigt den 1D-Charakter der Rekonstruktion. Anhand vier verschiedener Typen dieses Kontrasts konnten P-Atome auf den nicht-äquivalenten Gitterplätzen der Rekonstruktion zugeordnet werden. Defekte wie Stufen und P-Atome teilen die p-bonded chains in Segmente endlicher Länge mit einer Kapazität von wenigen aF. Die extrem kleine Kapazität öffnet ein Coulomb-Gap im Tunneltransport durch das Segment, dessen Größe mit der inversen Segmentlänge skaliert. Die in dieser Arbeit vorgestellten Daten passen quantitativ mit der klassisch abgeschätzten Kapazität zusammen und liefern so einen Beweis für ein 1D Elektronensystem auf der Si(111)-2×1-Oberfläche.The cleaved Si(111) surface exhibits a 2×1 reconstruction and has been subject to extended theoretical and experimental investigation during the last 50 years. Nevertheless, this work presents the first study employing scanning tunneling microscopy and -spectroscopy at low temperature of 8 K. This method provides best lateral resolution and allows to investigate the electronic structure within the surface unit cell of Si(111)-2×1. The presented results nicely agree with most recent ab-initio calculations based on Pandey¿s p-bonded chain model which suggests highly anisotropic surface bands. The contrast of substitutional P atoms extends several nanometer along a single or a double chain and confirms the expected anisotropy. Four different types of this contrast are identified and assigned to P atoms substituted on non-equivalent sites in the reconstructed surface. Furthermore defects like steps or P atoms cut the p-bonded chains to segments of finite length with a capacitance of only a few aF. Due to this extremely small capacitance a Coulomb gap opens in the tunneling transport through the segment. The gap width linearly scales with the inverse length of the segment and quantitatively agrees with a classical approximation based on the segment¿s capacitance. The presented results give first experimental evidence for a 1D electronic system in the Si(111)-2×1 surface. ····· 10361158140
····· lezzter Preis 16.00€ ···· Rheinberg-Buch.de - Bücher, eBooks, DVD & Blu-ray Seit dem Vorschlag von S. Datta und B. Das, einen Spintransistor zu entwickeln, besteht ein großes Interesse an elektronischen Bauteilen, die als Informationsträger die Spin-Ausrichtung der Elektronen und nicht nur deren Ladung verwenden. Eine Herausforderung bei der Entwicklung solcher Bauteile ist es, einen spinpolarisierten Strom in einen Halbleiter zu injizieren. Ein vielversprechendes Material für eine spinpolarisierte Elektrode ist die Heusler-Legierung Ni2MnIn. Einige Heusler-Legierungen gehören zu der Materialklasse der sogenannten halbmetallischen Ferromagnete. Bei diesen Materialien ist das Valenzband der `spin-up`-Elektronen teilweise besetzt, so daß diese Elektronen zum Ladungstransport beitragen, während das Valenzband der `spin-down`-Elektronen unterhalb der Fermi-Kante liegt und folglich nicht zum Ladungstransport beitragen kann. Halbmetallisches Verhalten ist für Ni2MnIn an der Grenzfläche zu Indiumarsenid vorhergesagt. Dünne Ni2MnIn-Schichten wurden durch Verdampfen der Komponenten hergestellt. Dabei sind ein Drei-Quellen- und ein Zwei-Quellen-Verdampfer zum Einsatz gekommen. Die Verwendung von nur zwei Verdampferquellen ist möglich, da die Dampfdrücke von Mangan und Indium dicht beieinander liegen. Die hergestellten Schichten wurden mit Raster- und Transmissionselektronenmikroskopen auf ihre Morphologie, Kristallstruktur und Stöchiometrie hin untersucht. Der Bereich der Substrattemperatur von 200 C bis 300 C, bei der sich die Legierung zur L21-Struktur der Heusler-Legierungen ordnet, wurde ermittelt. Diese Ordnung ist für die magnetischen Eigenschaften und damit für die Spinpolarisation der Leitungselektronen entscheidend. Mit einem SQUID-Magnetometer wurden an den Proben die Temperaturabhängigkeit der Magnetisierung, die Curie-Temperatur und die Sättigungsmagnetisierung gemessen. Die Ergebnisse zeigen eine gute Übereinstimmung mit Daten aus der Literatur für Volumenmaterial. Die Spinpolarisation der Ni2MnIn-Schichten wurde mit dem Verfahren der Punktkontakt-Andreev-Reflexion gemessen. Der Polarisationsgrad der Ni2MnIn-Schichten ist deutlich höher als der konventioneller ferromagnetischer Spininjektoren. Since S. Datta and B. Das proposed to develop the spin transistor, there is great interest in devices which use the orientation of the electron spin instead of the charge to store and manipulate information. The injection of spin polarized electrons into a semiconductor is challenging. A promising material for this task is the Heusler alloy Ni2MnIn. Some Heusler alloys belong to the class of so called half-magnetic ferromagnets. In these materials the valence band of the spin-up electrons is partially occupied, i.e. these electrons take part in the charge transport. The valence band of the spin-down electrons is well beyond the Fermi-level, i.e. it shows insulating behavior. Half-metallic properties are predicted for the Ni2MnIn - indium arsenide interface. Thin films of Ni2MnIn were grown by vapor deposition. For the preparation two methods were used, one with three evaporation sources for nickel, manganese and indium and one with two sources. In the latter case manganese and indium were alloyed and evaporated from the same crucible because of their nearly identical vapor pressures. The Ni2MnIn -films were investigated by scanning- and transmission-electron-microscopy in order to determine their morphology, structure and stoichiometry. The optimum temperature of 200 C - 300 C for growing the ordered L21-structure of Heusler alloys has been determined. The ordered structure is essential for the magnetic properties of the Heusler alloy and therefore important for the spin polarized behavior of the conductance electrons. The temperature dependence of the magnetization, the Curie-temperature, and the saturation magnetization have been measured by SQUID-magnetometry. Their values correspond well with the data of bulk material obtained from the literature. Deviations of the magnetic properties from bulk values are due to the morphology of the layers. The spin polarization of the Ni2MnIn -films has been measured by point contact Andreev reflection spectroscopy. The detected degree of polarization is well above the polarization of conventional ferromagnetic electrodes. ····· 10361158110
····· lezzter Preis 18.05€ ···· Rheinberg-Buch.de - Bücher, eBooks, DVD & Blu-ray Im Rahmen dieser Dissertation wurde das diamagnetische Abschirmverhalten aufgrund des Proximity-Effekts in planaren Supraleiter/Normalleiter (Nb/Ag)-, Supraleiter/Normalleiter/Ferromagnet (Nb/Ag/Fe)- und Supraleiter/Normalleiter/Isolator/Ferromagnet (Nb/Ag/SiO2 /Fe)-Schichten durch Messungen der Magnetisierung M bei tiefen Temperaturen T und in Abhängigkeit des Magnetfelds B durchgeführt. Bei Nb/Ag-Schichten wurde aufgrund des Proximity-Effekts in Abhängigkeit der Silberschichtdicke und des externen Magnetfelds ein diamagnetischer Phasenübergang 1. Ordnung im Silber beobachtet. Das Phasendiagramm des Silbers und sein diamagnetisches Abschirmverhalten können qualitativ durch den `clean limit` beschrieben werden. Eine zusätzliche Fe-Schicht unterdrückt aufgrund der ferromagnetischen Austauschwechseklwirkung deutlich den Proximity-Effekt. In Nb/Ag/Fe-Filmen mit dünner Ag-Schicht ist der Proximity-Effekt dagegen relativ stabil. Mit einer zusätzlichen supraleitenden ! Schicht sollte es aufgrund der relativ großen supraleitenden Kohärenzlänge im Fe möglich sein einen p-Kontakt zu realisieren. Der Einfluss der Fe-Schicht auf das spektrale Verhalten des Proximity-Effekts wurde mittels einer isolierenden SiO2-Schicht variierender Dicke verändert, was zu einem veränderten Verlauf des Phasendiagramms führt. ····· 10361158109
····· lezzter Preis 21.85€ ···· Rheinberg-Buch.de - Bücher, eBooks, DVD & Blu-ray Die Arbeit `High Energy X-Ray Diffraction On Ultrasound Excited Crystals` behandelt zeitaufgelöste und zeitintegrierte Hochenergie-Röntgenbeugung an ultraschallangeregten Silizium Kristallen. Mit hochenergetischer Synchrotronstrahlung einer Energie über 80 keV und einem hochauflösenden Dreiachsendiffraktometer mit einer maximalen Winkelauflösung von 0.01 Bogensekunden werden in Laue-Streugeometrie erstmals ultraschallinduzierte Satellitenreflektionen aus dem Volumen eines Kristalls nachgewiesen. Es wird gezeigt, welche Propagationsrichtung und Amplitude die durch einen Schallwandler angeregten Wellen im Hochfrequenzbereich des Kristalls annehmen. Zur Aufklärung der Propagationsrichtung tragen hochaufgelöste zweidimensionale Scans der Beugungsebene massgeblich bei. Die Winkelpositionen der gemessenen Satellitenreflektionen werden theoretisch bestätigt. Zur Beschreibung der zeitabhängigen Intensitätsprofile ist ein auf der dynamischen Beugungstheorie basierendes Simulationsprogramm entwickelt worden, welches es erlaubt, zeitintegrierte und zeitaufgelöste Rockingkurven verschiedener Kristallreflektionen als Funktion der Energie der gebeugten Strahlung, der Ultraschallfrequenz und der Ultraschallamplitude zu berechnen. Da die Extinktionslängen der Satellitenreflektionen durch die Ultraschallwellen über die Kristalldicken hinausgetrieben werden können, ändern sie ihre Beugungsintensität periodisch, was mit zeitaufgelösten Messungen der Röntgenbeugungsintensität mit einer Auflösung von 200 ps nachgewiesen wird. ····· 10361158094
····· lezzter Preis 18.05€ ···· Rheinberg-Buch.de - Bücher, eBooks, DVD & Blu-ray Die vorliegende Arbeit behandelt neue Methoden zur schnellen spektroskopischen Bildgebung, mit der in vivo Stoffwechseluntersuchungen mit hoher zeitlicher und räumlicher Auflösung durchgeführt werden können. Ein wichtiges, wenn nicht gar das zentrale Motiv bei der Entwicklung neuer spektroskopischer Bildgebungsverfahren besteht in der Realisierung von Pulssequenzen oder Sequenzklassen mit möglichst kurzer Mindestmeßzeit bei gleichzeitig hohem Signal-zu-Rausch Verhältnis. In den vergangenen Jahren wurden eine Vielzahl schneller SI-Verfahren vorgeschlagen, deren Grundkonzepte aus der schnellen MR-Bildgebung übernommen wurden. Eine in dieser Hinsicht wichtige, da mit hohem SRV behaftete Sequenzklasse basiert auf der Ausbildung eines dynamischen Gleichgewichtszustands der Magnetisierung und wird unter dem Akronym SSFP (steady state free precession) zusammengefaßt. ····· 10361158056
····· lezzter Preis 26.60€ ···· Rheinberg-Buch.de - Bücher, eBooks, DVD & Blu-ray In this thesis we have investigated and compared the spin excitations of several low-dimensional quantum antiferromagnets, including the one-dimensional spin-1/2 chain, the one-dimensional spin-1 chain, the two-leg spin-1/2 ladder, the four-leg spin-1/2 ladder, the two-dimensional spin-1/2 antiferromagnet, a bilayer containing two coupled spin-1/2 planes and the two-dimensional spin-1 antiferromagnet. Besides a nearest-neighbor Heisenberg interaction the in uence of a cyclic four-spin exchange on the properties of a two-leg ladder has been considered. Furthermore, the effect of spin phonon interaction on the magnetic excitations of the two-dimensional antiferromagnets has been analyzed. For these investigations several analytical and numerical techniques have been employed. The two-dimensional antiferromagnets have been treated within interacting spin-wave theory. For the investigation of the spin-1/2 chain and the two-leg spin-1/2 ladder a fermionic representation, which is based on the Jordan-Wigner transformation, has been applied. The Density Matrix Renormalization Group (DMRG) has been used to analyze the properties of the one-dimensional spin-1 chain, the two-leg spin-1/2 ladder and the four-leg spin-1/2 ladder. ····· 10361158054
····· lezzter Preis 21.85€ ···· Rheinberg-Buch.de - Bücher, eBooks, DVD & Blu-ray Die Studie mit dem Titel `Investigation of bio-organic systems by means of optical techniques` befasst sich im technischen Teil mit dem Aufbau und der Inbetriebnahme eines neuartigen Ramanspektrometers. Es wurden die wesentlichen Leistungsparameter des Systems untersucht und mit Erwartungen aus Simulationen verglichen. Ausserdem wurde eine Systemintegration mit Lichtquellen, Strahlengang und Justageprozeduren durchgeführt.Weiterhin beschäftigt sich diese Arbeit mit den Möglichkeiten optischer Untersuchungsmethoden bezüglich keratinbasierter bio-organischer Materialien. Mittels spektroskopischer Ellipsometrie wurde neben allgemeinen Charakterisierungsuntersuchungen eine Studie der Hydrationsdynamik von Fingernägeln durchgeführt. Die Ergebnisse dieser Studie wurden mit einem Modell bestehend aus ,,freiem`` und ,,gebundenem`` Wasser erklärt. Die Ellipsometrie wurde auch für eine in-vivo Tapestripping Studie verwendet, welche ein Tiefenprofil des stratum corneums lieferte und aufzeigte, das Depolarisationseffekte eine grosse Rolle bei der Ergebnisinterpretierung spielen und in Zukunft weiter untersucht werden sollten.Das neue Ramanspektrometer wurde ebenfalls für biophysikalische Untersuchungen eingesetzt. Im tiefen UV bei 244 nm wurde eine Zerstörungsstudie an Einzelhaaren und eine Studie an Hautbiopsien durchgeführt. Motivation für Messungen in diesem Wellenlängenbereich sind Fluoreszenzuntersuchungen im Sichtbaren sowie eine ebenfalls durchgeführte Raman-Resonanzstudie an destilliertem Wasser im Wellenlängenbereich zwischen 631 und 237 nm.Während der Studien wurden die technischen Grenzen beider optischer Aufbauten offenbar und führten u. a. zu dem Design eines neuen Periskops für das Ramanspektrometer, um die Probenpositionierung zu verbessern. Außerdem wurden durch die Ellipsometriemessungen Grundlagen zum Aufbau eines neuartigen, speziell an biologische Systeme angepassten Ellipsometers gelegt. ····· 10361158047
····· lezzter Preis 15.20€ ···· Rheinberg-Buch.de - Bücher, eBooks, DVD & Blu-ray In der vorliegenden Arbeit werden die elektronischen Transporteigenschaften von InAs/InGaAs und GaAs/AlGaAs Heterostrukturen bei tiefen Temperaturen (0.1 K < T < 4.2 K) und im Magnetfeld (B < 7 T) untersucht. Bei den InAs/InGaAs Strukturen befindet sich ein zweidimensionales Elektronengas in einem pseudomorph verspannten InAs-Kanal. Diese Heterostrukturen werden mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie auf GaAs-Substraten gewachsen. Aufgrund der Gitterfehlanpassung von InAs und GaAs weisen diese Strukturen ein typisches Kreuzschraffurmuster auf, welches durch eine Welligkeit der Heterostrukturoberfläche gekennzeichnet ist. Es wird gezeigt, daß die Transporteigenschaften der Elektronengase deutliche Signaturen einer elektrostatischen Modulation aufweisen. Die Ursache dieser Modulation wird räumlich fluktuierenden Verspannungspotentialen zugewiesen, die aufgrund des gitterfehlangepaßten epitaktischen Kristallwachstums entstehen. Neben dieser elektrostatischen Modulation kann durch Messungen der Transporteigenschaften im gekippten Magnetfeld gezeigt werden, daß die Elektronengase zusätzlich einer räumlichen Modulation ausgesetzt sind, die mit der Undulation des Kreuzschraffurmusters verknüpft ist. Zur Untersuchung der mesoskopischen Transporteigenschaften der Elektronengase dieser InAs/InGaAs Heterostrukturen werden Messungen an offenen Quantenpunkten durchgeführt. Anhand der Leitwertfluktuationen dieser Systeme kann die Phasenkohärenzlänge der Elektronen bei T ····· 10361158017
····· lezzter Preis 15.20€ ···· Rheinberg-Buch.de - Bücher, eBooks, DVD & Blu-ray In the present work the characteristics of microstructured hybrid ferromagnet/semiconductor devices are presented. A Hall micromagnetometry study of permalloy rings reveals the `onion¿, the `vortex¿, and the `local vortex¿ state for different magnetic fields. These magnetic states are stable up to room temperature as proven by magnetic-force microscopy. The variation of the geometrical parameters of the rings offers the possibility to control the switching fields and the overall magnetic behavior. Micromagnetic simulations are used to investigate the rings numerically and are in very good accordance with the measurements. Two different types of rectangular permalloy elements are investigated by transport measurements, namely single-domain and multi-domain samples. The anisotropic magnetoresistance is the governing resistance contribution. In the single-domain sample the classical anisotropic magnetoresistance is measured as well as additional resistance jumps. The angle dependence of the switching fields indicates the switching mode, which is identified as a curling-like magnetization reversal. In multi-domain samples the transport data become more difficult to interpret but it is shown by micromagnetic simulations that the main contribution to the resistance is generated by the anisotropic magnetoresistance. Domain-wall contributions to the resistance can be neglected in the present samples. To inject spin-polarized electrons from a ferromagnet into a semiconductor, two approaches are followed. In the first, both materials are contacted directly. Small magnetoresistance changes are detected which are in accordance with model calculations. In a second approach, the spininjection efficiency is enhanced by a tunnel barrier which is integrated between ferromagnet and semiconductor. The temperature dependence of the observed magnetoresistance jumps in both experiments resemble each other. This provides a hint for the successful injection of spin-polarized electrons into the semiconductor. ····· 10361158007
····· lezzter Preis 21.85€ ···· Rheinberg-Buch.de - Bücher, eBooks, DVD & Blu-ray The development of integrated optical devices demands the fabrication of high-quality optically active thin films. This work focuses on thin sesquioxide films, which are promising because the sesquioxides are well-known hosts for rare-earth-ions, leading to luminescent materials and solid-state lasers with superior mechanical and thermal properties (e. g. low phonon energies, large thermal conductivity).Optical quality crystalline thin films of rare-earth-doped sesquioxides (yttria, lutetia, and scandia) have been grown by the pulsed laser deposition (PLD) technique on single-crystal (0001) a-alumina substrates. Alumina substrates offer a lattice constant that matches that of cubic Y2O3 in the ß111± direction very well. Using Lu2O3 and Sc2O3, the mismatch of 4.8% related to Y2O3 on alumina substrates can be considerably reduced leading to the production of films with less dislocations.The crystal structure of these films (thicknesses from 1 nm to 500 nm) was determined by X-ray diffraction (XRD) and surface X-ray diffraction (SXRD) analysis. These measurements show that the films were textured along the ß111± direction, however with a small polycrystalline component, which is negligible in thick films. Using Rutherford backscattering analysis (RBS), the correct stoichiometric composition of the films could be proved. At optimum growth conditions, epitaxial growth of Y2O3 along the ß111± direction on the (0001) a-Al2O3 was experimentally verified by the observation of channelling in the RBS experiments.The surface morphology of the thin films has been studied using atomic force microscopy (AFM). While amorphous films have no defined surface structure, crystalline films show a triangular surface morphology, which is attributed to the ß111± growth direction. The same structure is observed along the (111) cleavage of an yttria bulk crystal. Thin films with a mean thickness of 5 nm have no completely covered surface, but show island growth, where the shape of the single crystallites, having angles of 60¿ or 120¿ , indicates the ß111± growth direction during the early stages of film growth.To study the optical properties of the rare-earth-doped films, spectroscopic measurements in the (vacuum-) ultraviolet and visible spectral-range have been carried out. The emission and excitation spectra of the Eu3+-doped films look similar to those of the corresponding crystalline bulk material down to a film thickness of 100 nm, i. e. the symmetry around the Eu3+-ions is preserved, whereas films with a thickness ú 20nm show a completely different emission behavior. This change can be explained by subplantation effects of high-energy plasma species hitting the substrate surface, leading to mixed compounds like Y3Al5O12. In addition, surface effects due to a large surface-to-volume ratio of the observed islands have a significant impact on the `film` properties.For possible applications in integrated optics, waveguide experiments have been performed in the system Y2O3ûAl2O3. Single-mode guiding of the fundamental mode was demonstrated in the 1 Ám thick yttria layer. ····· 10361157994· 1 · ::::: · 2 ·· 3 ·· 4 ·· 5 ·· 6 ·· 7 ·· 8 · ::::: · 10 ·
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